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BD681S PDF预览

BD681S

更新时间： 2024-02-18 18:27:17
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 2000/BULK

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BD681S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

BD681S 数据手册

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BD675A/677A/679A/681  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
•
Medium Power Darlington TR  
Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD675A  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
100  
V
V
: BD675A  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CEO  
EBO  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
I
I
4
6
C
A
CP  
B
100  
mA  
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus) *Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD675A  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
I
= 50mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
100  
I
I
I
Collector-Base Voltage : BD675A  
V
V
V
V
= 45V, I = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
E
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
= 100V, V = 0  
BE  
Collector Cut-off Current : BD675A  
V
V
V
V
= 45V, V = 0  
500  
500  
500  
500  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
= 60V, V = 0  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
= 100V, V = 0  
BE  
Emitter Cut-off Current  
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
EB  
C
h
* DC Current Gain  
: BD675A/677A/679A  
: BD681  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
: BD675A/677A/679A  
V
V
= 3V, I = 2A  
750  
750  
FE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 1.5A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
CE  
I
I
= 2A, I = 40mA  
2.8  
2.5  
V
V
C
C
B
: BD681  
= 1.5A, I = 30mA  
B
* Base-Emitter ON Voltage : BD675A/677A/679A  
: BD681  
V
V
= 3V, I = 2A  
2.5  
2.5  
V
V
BE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 1.5A  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BD681S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD681STU FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear and Switching Applications
BD681G ONSEMI

功能相似

 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

与BD681S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD681S_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic
BD681STU FAIRCHILD

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 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD681STU ONSEMI

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 		中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
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 		DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
BD682 ISC

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 		Silicon PNP Power Transistors
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 		Silicon PNP Power Transistors
BD682 COMSET

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 		SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD682 TGS

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD682 NSC

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 		TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-126
BD682 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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