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BD681STU

更新时间： 2024-11-03 12:31:11
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
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4页 44K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD681STU 数据手册

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BD675A/677A/679A/681  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
•
Medium Power Darlington TR  
Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD675A  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
100  
V
V
: BD675A  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
45  
60  
80  
V
V
V
V
CEO  
EBO  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
I
I
4
6
C
A
CP  
B
100  
mA  
W
°C  
°C  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus) *Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD675A  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
I
= 50mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
100  
I
I
I
Collector-Base Voltage : BD675A  
V
V
V
V
= 45V, I = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
E
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
= 100V, V = 0  
BE  
Collector Cut-off Current : BD675A  
V
V
V
V
= 45V, V = 0  
500  
500  
500  
500  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD677A  
: BD679A  
: BD681  
= 60V, V = 0  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
= 100V, V = 0  
BE  
Emitter Cut-off Current  
V
= 5V, I = 0  
2
mA  
EB  
C
h
* DC Current Gain  
: BD675A/677A/679A  
: BD681  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
: BD675A/677A/679A  
V
V
= 3V, I = 2A  
750  
750  
FE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 1.5A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
CE  
I
I
= 2A, I = 40mA  
2.8  
2.5  
V
V
C
C
B
: BD681  
= 1.5A, I = 30mA  
B
* Base-Emitter ON Voltage : BD675A/677A/679A  
: BD681  
V
V
= 3V, I = 2A  
2.5  
2.5  
V
V
BE  
CE  
CE  
C
= 3V, I = 1.5A  
C
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BD681STU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD681STU ONSEMI

类似代替

 中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD681S ONSEMI

类似代替

 中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD681S FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD682 ONSEMI

获取价格

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BD682 ISC

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 		SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD682 TGS

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BD682 NSC

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 		TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-126
BD682 STMICROELECTRONICS

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD682 FAIRCHILD

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 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD682 MOTOROLA

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BD682 CENTRAL

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 		4A,100V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP Darlington

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