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BD681S PDF预览

BD681S

更新时间： 2024-11-04 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管

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BD681S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

BD681S 数据手册

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by BD675/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applica-  
tions.  
•
High DC Current Gain —  
= 750 (Min) @ I = 1.5 and 2.0 Adc  
Monolithic Construction  
BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A,  
678, 678A, 680, 680A, 682  
h
FE  
C
•
•
*Motorola Preferred Device  
•
BD 677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803  
4.0 AMPERE  
DARLINGTON  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
MAXIMUM RATINGS  
BD675  
BD677  
BD679  
BD675A BD677A BD679A  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
BD681  
100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
60, 80, 100 VOLTS  
40 WATTS  
V
CEO  
45  
45  
60  
60  
80  
80  
V
100  
CB  
EB  
V
5.0  
4.0  
0.1  
I
C
Base Current  
I
B
Total Device Dissipation  
P
D
@T = 25 C  
40  
0.32  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction T , T  
stg  
–55 to +150  
C
J
Temperating Range  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
3.13  
C/W  
JC  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5.0  
0
15  
30  
45  
60  
75  
90  
105 120 135 150  
C)  
165  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Temperature Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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BD681S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD681STU ONSEMI

完全替代

 中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD681STU FAIRCHILD

类似代替

 Medium Power Linear and Switching Applications
BD681G ONSEMI

类似代替

 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

与BD681S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD681S_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic
BD681STU FAIRCHILD

获取价格

 		Medium Power Linear and Switching Applications
BD681STU ONSEMI

获取价格

 		中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD682 ONSEMI

获取价格

 		DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
BD682 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
BD682 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Power Transistors
BD682 COMSET

获取价格

 		SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD682 TGS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD682 NSC

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-126
BD682 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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