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BD681

更新时间： 2024-02-27 02:54:02

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1页	74K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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BD681 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD681 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

Product specification

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

BD681/BD682

DESCRIPTION

The BD681, are silicon epitaxial-base NPN power

transistors in monolithic Darlington configuration

mounted in Jedec TO-126 plastic package.

They are intended for use in medium power linar

and switching applications

The complementary PNP types are BD682,

respectively.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 ^OC)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Value Unit

Symbol

V_CBO

100

V_CEO

V_EBO

I_C

100

4.0

0.1

Base Current

I_B

Total Dissipation at

P_tot

T_j

^oC

150

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_stg

-55~150 ^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

( Ta = 25 C)

Parameter

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Symbol

Test Conditions

Min.

—

Typ.

Max. Unit

I_CEO

I_CBO

I_EBO

V_CE=100V, I_B=0

V_CB=100V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

0.2

0.5

2.0

—

Collector-Emitter Sustaining Voltage

DC Current Gain

V_CEOI_C=50mA, I_B=0

100

750

—

h_FE(1)V_CE=3V, I_C=1.5A

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

V_CE(sat)

V_BE

I_C=1.5A,I_B=30mA

V_CE=3V,I_C=1.5A

2.5

—

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与BD681相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD681A	COMSET	获取价格	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD681G	ONSEMI	获取价格	Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
BD681LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic
BD681S	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD681S	ROCHESTER	获取价格	4A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
BD681S	ONSEMI	获取价格	中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD681S_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic
BD681STU	FAIRCHILD	获取价格	Medium Power Linear and Switching Applications
BD681STU	ONSEMI	获取价格	中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD682	ONSEMI	获取价格	DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON