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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.31 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD681S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic |
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| BD681STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Medium Power Linear and Switching Applications |
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| BD681STU | ONSEMI |
获取价格 |
中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管 |
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| BD682 | ONSEMI |
获取价格 |
DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| BD682 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| BD682 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| BD682 | COMSET |
获取价格 |
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
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| BD682 | TGS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| BD682 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,4A I(C),TO-126 |
|
| BD682 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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