5秒后页面跳转
BD679AS PDF预览

BD679AS

更新时间: 2024-01-01 10:22:18
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 831K
描述
4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

BD679AS 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-126
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:6.99
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):750
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10 MHz
Base Number Matches:1

BD679AS 数据手册

 浏览型号BD679AS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD679AS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD679AS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BD679AS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BD679AS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BD679AS的Datasheet PDF文件第7页 

与BD679AS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD679AS_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
BD679ASTU FAIRCHILD

获取价格

NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),
BD679ASTU ONSEMI

获取价格

中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管
BD679G ONSEMI

获取价格

Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
BD680 TRSYS

获取价格

PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS
BD680 COMSET

获取价格

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD680 SAVANTIC

获取价格

Silicon PNP Darligton Power Transistors
BD680 ISC

获取价格

Silicon PNP Darligton Power Transistors
BD680 STMICROELECTRONICS

获取价格

Complementary power Darlington transistors
BD680 MOTOROLA

获取价格

Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons