是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.14 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 120 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 38 A |
最大漏极电流 (ID): | 38 A | 最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 170 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 140 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AUIRF5210S | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRF5210S | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AUIRF5305TRL | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
AUIRF5305TRR | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
AUIRF540Z | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
AUIRF540ZS | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
AUIRF540ZSTRL | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
AUIRF540ZSTRR | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
AUIRF6215 | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Planar Technology Low On-Resistance | |
AUIRF6215S | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
AUIRF6215STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
AUIRF6215STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |