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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRF5305TRR
AUIRF5305TRR PDF预览

AUIRF5305TRR

更新时间： 2024-11-25 12:36:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 311K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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AUIRF5305TRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRF5305TRR 数据手册

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PD-96341  
AUTOMOTIVE MOSFET  
AUIRFR5305  
AUIRFU5305  
HEXFET® Power MOSFET  
D
S
Features  
V(BR)DSS  
-55V  
0.065  
AdvancedPlanarTechnology  
LowOn-Resistance  
RDS(on) max.  
ID  
Ω
Dynamic dV/dT Rating  
G
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
-31A  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
D
D
S
Description  
S
D
D
G
G
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellular  
Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the  
latestprocessingtechniquestoachievelowon-resistanceper  
silicon area. This benefit combined with the fast switching  
speed and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient and reliable device for use in Automotive  
and a wide variety of other applications.  
D-Pak  
AUIRFR5305  
I-Pak  
AUIRFU5305  
G
Gate  
D
Drain  
S
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
isnotimplied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability. Thethermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
-31  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
-22  
A
-110  
110  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
0.71  
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
280  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally limited)  
Avalanche Current  
mJ  
A
-16  
EAR  
dv/dt  
TJ  
11  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.4  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
50  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mount) ∗∗  
Junction-to-Ambient ***  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
12/06/10  
1234567...13

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