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ASDM30C25JQ

更新时间： 2024-10-03 17:15:19

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安森德 - ASDsemi		/
页数	文件大小	规格书
10页	457K
描述
TO252-4

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ASDM30C25JQ 数据手册

ASDM30C25JQ

30V N-Ch &P-Ch MOSFETS

Features

Product Summary

•100% EAS Guaranteed

•Green Device Available

•Super Low Gate Charge

•Excellent CdV/dt effect decline

•Advanced high cell density Trench

technology

V DS

-30

mΩ

R DS(on),Max@ VGS =10 V

I D

-25

Application

• Motor / Body Load Control

• Synchronous Buck Converter

Applications

TO252-4

N-Channel&P-Channel

Absolute Maximum Ratings

Rating

Symbol

Parameter

Units

N-Ch

P-Ch

-30

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

-25

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V¹

Pulsed Drain Current²

-14

7.3

-6.8

5.8

-5.5

100

-100

110

EAS

Single Pulse Avalanche Energy³

26.6

12.7

20.8

I_AS

Avalanche Current

Total Power Dissipation⁴

-30

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

20.8

℃

Storage Temperature Range

-55 to 150

T_J

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

R_θJA

Parameter

Typ.

---

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance Junction-Ambient ¹

Thermal Resistance Junction-Case¹

R_θJC

---

Ascend Semicondutor Co.,Ltd

NOV 2020 Version1.0

1/10

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