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ASDM30P30E

更新时间： 2024-09-14 17:15:51

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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7页	1835K
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ASDM30P30E 数据手册

ASDM30P30E

-30V P-Channel MOSFET

Features

Product Summary

Fast Switching

⚫

Low On-Resistance

V_DSS

-30

mΩ

Halogen and Antimony Free,Rohs compliant

R_{DS(ON).Typ@ VGS=-10V}

I_D

-40

Application

⚫ Switch switching

⚫ Power management in portable/desktop PCs

PDFN3.3*3.3-8

P-MOSFET

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃,unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage (V_GS=0V)

Gate-Source Voltage (V_GS=0V,static)

Continuous Drain Current (T_C=25℃)

Continuous Drain Current (T_C=100℃)

Pulesd Drain Current

Symbol

V_DS

Value

-30

Unit

V_GS

±25

-40

I_D

-28

I_DM

I_AS

-160

22.5

Avalanche Current(L=0.3mH)

Avalanche Energy, Single Pulsed

Maximum Power Dissipation (T_C=25℃)

Maximum Power Dissipation (T_C=100℃)

Operating,Storage Temperature Range

E_AS

℃

P_D

T_J,T_STG

-55~150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

3.2

Max.

Unit

R_θ

Thermal Resistance,Junction-to-Case

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient

℃/ W

R_θ

www.ascendsemi.com

0755-86970486

JUN 2022 Version1.0

1/7

12 3 4 5 6 7

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