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ASDM30N90Q

更新时间： 2024-10-31 17:15:51

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	1487K
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ASDM30N90Q 数据手册

ASDM30N90Q

30V N-Channel MOSFET

Product Summary

General Features

● Low Gate Charge

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON)

● High Power and Current Handling Capability

VDS

4.3

RDS(on),Typ.@ VGS=10 V

mΩ

Application

● Load Swtich

● PWM applications

● Power management

DFN5*6-8

N-Channel

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_C=25ºC

Continuous Drain Current

I_D

T_C=100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

360

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

T_C=25ºC

E_AS

135

Power Dissipation

P_D

T_C=100ºC

Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

T_J, T_STG

-55 to 175

ºC

Symbol

R_ƟJC

Maximum

Units

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

2.3

ºC/W

Maximum Junction-to-Ambient

R_ƟJA

www.ascendsemi.com

0755-86970486

FEB 2019 Version1.0

1/9

12 3 4 5 6 7...9

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