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ASDM30N55E

更新时间： 2024-10-03 17:15:51

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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7页	1223K
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ASDM30N55E 数据手册

ASDM30N55E

30V N-Channel MOSFET

Feature

Product Summary

•100% EAS Guaranteed

•Green Device Available

mΩ

V_DS

4.8

•Super Low Gate Charge

•Excellent CdV/dt effect decline

•Advanced high cell density Trench technology

R_DS(on),typV_GS=10V

I_D

Application

• Power Management in Inverter System

top view

DFN3.3*3.3-8

Maximum ratings, at T A=25 °C, unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source breakdown voltage

(BR)DSS

I_S

Diode continuous forward current

TC=25°C

=25°C

I_D

Continuous drain current @VGS=10V

=100°C

=25°C

I_DM

T_A

220

105

Pulse drain current tested

①

EAS

Avalanche energy, single pulsed

Maximum power dissipation

Gate-Source voltage

②

VGS

±20

MSL

Level 3

-55 to 150

T_J

T_STG

Storage and junction temperature range

°C

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typical

Unit

°C/W

R_θJL

R_JA

Thermal Resistance, Junction-to-Lead

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2019 Version1.0

1/7

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