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ASDM30P30BE

更新时间： 2024-10-03 17:15:47

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	2386K
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ASDM30P30BE 数据手册

ASDM30P30BE

-30V P-Channel MOSFET

Features

• Low RDS(ON)

Product Summary

• Fast switching

• Green Device Available

V_DSS

-30

mΩ

R_{DS(ON).Typ@ VGS=-10V}

I_D

Application

• MB / VGA / Vcore

• POL Applications

-30

PDFN3.3*3.3-8

P-MOSFET

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

-30

±20

Gate-Source Voltage

T_C= 25℃

-30

I_D

Continuous Drain Current

T_C= 100℃

-7

I_DM

P_D

Pulsed Drain Current ^note1

Power Dissipation

-90

T_A= 25℃

3.7

℃/W

℃

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

33.8

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Thermal Resistance-Junction to Case

Thermal Resistance-Junction to Ambient

Rating

4.6

Unit

RJC

Steady State

°C/W

③

RJA

Note

①

②

③

：

Max. current is limited by bonding wire

IS tested and pulse width are limited by maximum junction temperature 150^oC

Surface Mounted on 1in FR-4 board with 1oz.

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/8

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