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ASDM30N90KQ

更新时间: 2024-11-18 17:15:35
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安森德 - ASDsemi /
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7页 1150K
描述
TO-252

ASDM30N90KQ 数据手册

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ASDM30N90KQ  
30V N-Channel MOSFET  
Product Summary  
General Features  
Low Gate Charge  
Advanced Trench Technology  
Provide Excellent RDS(ON)  
High Power and Current Handling Capability  
VDS  
30  
3.0  
90  
V
RDS(on),Typ.@ VGS=10 V  
mΩ  
ID  
A
Application  
Load Swtich  
PWM applications  
Power management  
1
TO-252  
N-channel  
Absolute Maximum Ratings (TA =25ºC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VGS  
±20  
TC =25ºC  
90  
46  
B
Continuous Drain Current  
ID  
A
TC =100ºC  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
255  
90  
A
A
Avalanche Current  
A
mJ  
W
A
Single Pulse Avalanche Energy  
L =0.3mH  
TC =25ºC  
EAS  
135  
65  
C
Power Dissipation  
PD  
TC =100ºC  
32  
W
Junction and Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
Parameter  
TJ, TSTG  
-55 to 175  
ºC  
Symbol  
RƟJC  
Maximum  
2.3  
Units  
Maximum Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
ºC /W  
Maximum Junction-to-Ambient  
RƟJA  
100  
www.ascendsemi.com  
0755-86970486  
FEB 2019 Version2.0  
1/7  

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