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ASDM30N80P

更新时间： 2024-11-28 17:15:27

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安森德 - ASDsemi		/
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ASDM30N80P 数据手册

ASDM30N80P

30V N-Channel MOSFET

Features

Product Summary

 Advanced Trench Technology

V DS

5.0

 Provide Excellent R

and Low Gate

DS(ON)

Charge

R DS(on),TYP@ VGS=10 V

mΩ

Application

 Load Switch

 PWM Application

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±20

Gate-Source Voltage

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

T_C= 100℃

I_DM

Pulsed Drain Current ^note1

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

320

E_AS

P_D

Power Dissipation

T_C= 25℃

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

1.68

℃/W

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +175

℃

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2018 Version1.0

1/7

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