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ASDM30N65E

更新时间： 2024-11-26 17:15:55

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1458K
描述
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ASDM30N65E 数据手册

ASDM30N65E

30V/65A N-CHANNEL MOSFET

Product Summary

Feature

V_DS

•100% EAS Guaranteed

•Green Device Available

•Super Low Gate Charge

• Excellent CdV/dt effect decline

•Advanced high cell density Trench

technology

4.5 mΩ

R_DS(on),typV_GS=10V

I_D

DFN3.3*3.3-8L

Maximum ratings, at T A=25 °C, unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source breakdown voltage

(BR)DSS

=25°C

I_S

Diode continuous forward current

=25°C

I_D

Continuous drain current @VGS=10V

=100°C

=25°C

I_DM

T_A

140

Pulse drain current tested ①

Avalanche energy, single pulsed ②

Maximum power dissipation

Gate-Source voltage

EAS

VGS

±20

MSL

Level 3

-55 to 150

T_J

T_STG

Storage and junction temperature range

°C

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typical

Unit

°C/W

R_θJL

R_JA

Thermal Resistance, Junction-to-Lead

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

NOV 2019 Version1.0

1/7

Ascend Semicondutor Co.,Ltd

12 3 4 5 6 7

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