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ASDM30N35E

更新时间： 2024-10-03 17:15:47

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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8页	1493K
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ASDM30N35E 数据手册

ASDM30N35E

30V N-Channel MOSFET

Features

•

High density cell design for ultra low

Fast switching speed

Low gate charge

Excellent package for good heat dissipation

Rdson

Product Summary

V DS

mΩ

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

I D

8.4

Application

•

Switching application systems

high frequency circuits

Hard switched and

Upower Management in Inverter

System

PDFN3.3x3.3-8

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

T_C= 100℃

140

note1

Pulsed Drain Current

I_DM

EAS

P_D

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

Power Dissipation

T_C= 25℃

Thermal Resistance, Junction to Case

R_θJC

4.1

℃/W

℃

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +150

www.ascendsemi.com

0755-86970486

DEC 2018 Version2.0

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