Datasheet > ASDM30N35E

ASDM30N35E

更新时间： 2024-11-28 17:15:47

品牌	Logo	应用领域
安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	1493K
描述
PDFN3*3-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ASDM30N35E 数据手册

ASDM30N35E

30V N-Channel MOSFET

Features

•

High density cell design for ultra low

Fast switching speed

Low gate charge

Excellent package for good heat dissipation

Rdson

Product Summary

V DS

mΩ

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

I D

8.4

Application

•

Switching application systems

high frequency circuits

Hard switched and

Upower Management in Inverter

System

PDFN3.3x3.3-8

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

T_C= 100℃

140

note1

Pulsed Drain Current

I_DM

EAS

P_D

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

Power Dissipation

T_C= 25℃

Thermal Resistance, Junction to Case

R_θJC

4.1

℃/W

℃

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +150

www.ascendsemi.com

0755-86970486

DEC 2018 Version2.0

1/8

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与ASDM30N35E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ASDM30N40AE	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N50AKQ	ASDsemi	获取价格	TO-252
ASDM30N50KQ	ASDsemi	获取价格	TO-252
ASDM30N55E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N65E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N80P	ASDsemi	获取价格	TO-220
ASDM30N90KQ	ASDsemi	获取价格	TO-252
ASDM30N90Q	ASDsemi	获取价格	PDFN5*6-8
ASDM30P09ZB	ASDsemi	获取价格	SOT23-3
ASDM30P100KQ	ASDsemi	获取价格	TO-252