Datasheet > ASDM30N50KQ

ASDM30N50KQ

更新时间： 2024-11-26 17:15:31

品牌	Logo	应用领域
安森德 - ASDsemi		/
页数	文件大小	规格书
8页	1798K
描述
TO-252

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ASDM30N50KQ 数据手册

ASDM30N50KQ

30V N-Channel MOSFET

Features

 Advanced Trench Technology

Product Summary

 Provide Excellent R

DS(ON)

and Low Gate

Charge

V DS

7.3

mΩ

 Lead free product is acquired

R DS(on),TYP@ VGS=10 V

I D

Application

· Load Switch

PWM Application

Power management

TO-252

N-Channel

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±20

Gate-Source Voltage

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_C= 100℃

I_DM

E_AS

200

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

P_D

Power Dissipation

T_C= 25℃

13.5

6.5

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating and Storage Temperature Range

℃/W

℃

T_J, T_STG

-55 to +150

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/8

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与ASDM30N50KQ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ASDM30N55E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N65E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N80P	ASDsemi	获取价格	TO-220
ASDM30N90KQ	ASDsemi	获取价格	TO-252
ASDM30N90Q	ASDsemi	获取价格	PDFN5*6-8
ASDM30P09ZB	ASDsemi	获取价格	SOT23-3
ASDM30P100KQ	ASDsemi	获取价格	TO-252
ASDM30P11ATD	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30P30BE	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30P30E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8