Datasheet > ASDM30DN40E

ASDM30DN40E

更新时间： 2024-11-26 17:15:31

品牌	Logo	应用领域
安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1433K
描述
PDFN3*3-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ASDM30DN40E 数据手册

ASDM30DN40E

30V Dual N-Channel Power MOSFET

Features

Product Summary

 Enhancement mode

V DS

8.6

mΩ

 Low on-resistance R^DS(on)@ VGS=4.5 V

 Fast Switching and High efficiency

 Pb-free lead plating; RoHS compliant

R DS(on),TYP@ VGS=10 V

I D

PDFN 3.3x3.3-8

NMOS

Maximum ratings, at T A=25 °C, unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Rating

Unit

Drain-Source breakdown voltage

(BR)DSS

VGS

Gate-Source voltage

±20

I_S

Diode continuous forward current

T_A=25°C

=25°C

=100°C

=25°C

T_C

I_D

Continuous drain current @V^GS=10V

I_DM

160

Pulse drain current tested

①

T_A=25°C

T_A=70°C

I_DSM

EAS

P_D

Continuous drain current @V_GS=10V

°C

Avalanche energy, single pulsed

Maximum power dissipation

②

=25°C

T_C

=100°C

2.8

T_A=25°C

T_A=70°C

P_DSM

Maximum power dissipation ③

1.8

T_J

T_STG

Storage and junction temperature range

-55 to 150

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typical

5.5

Unit

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

www.ascendsemi.com

0755-86970486

MAY 2022 Version2.0

1/7

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与ASDM30DN40E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ASDM30N120KQ	ASDsemi	获取价格	TO-252
ASDM30N150Q	ASDsemi	获取价格	PDFN5*6-8
ASDM30N30E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N35AE	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N35E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N40AE	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N50AKQ	ASDsemi	获取价格	TO-252
ASDM30N50KQ	ASDsemi	获取价格	TO-252
ASDM30N55E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8
ASDM30N65E	ASDsemi	获取价格	PDFN3*3-8