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ASDM30N35AE

更新时间： 2024-10-03 17:15:47

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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9页	1729K
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ASDM30N35AE 数据手册

ASDM30N35AE

30V N-Channel MOSFET

Features

● Very Low On-resistance R_DS(ON)

● LowCrss

● Fast switching

Product Summary

V DS

mΩ

● 100% avalanche tested

● Improved dv/dt capability

R DS(on),Max@ VGS=10 V

I D

Application

●

PWM Application

● Load Switch

●

Power

Management

PDFN3.3x3.3-8

Absolute Maximum Ratings

T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Units

ASDM30N35AE

Drain-Source Voltage

V_DSS

Drain Current

- Continuous (T_C= 25℃)

- Continuous (T_C= 100℃)

- Pulsed

I_D

(Note 1)

I_DM

V_GSS

E_AS

Drain Current

140

Gate-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Power Dissipation (T_C= 25℃)

4.5

P_D

R _θJC

T_J, T_STG

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating and Storage Temperature Range

Maximum lead temperature for soldering purposes,

27.8

℃/W

℃

-55 to +150

T_L

300

℃

www.ascendsemi.com

0755-86970486

Sep 2022 Version1.0

1/9

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