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AO3401A

更新时间： 2024-11-21 17:15:23

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	1846K
描述
漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4.2A;栅极-源极阈值电压:1.3V @ 250uA;漏源导通电阻:50mΩ@-10V;最大功耗（Ta = 25°C）:350mW;种类:P-Channel;Vgs(th)(V):±12

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AO3401A 数据手册

UMW

UMW AO3401A

P-Channel Enhancement MOSFET

SMD Type

SOT–23

■ Features

● VDS (V) =-30V

● ID =-4.2 A (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 50mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 65mΩ (VGS =-4.5V)

● RDS(ON) ＜ 120mΩ (VGS =-2.5V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-30

Unit

Gate-Source Voltage

±12

-4.2

-3.5

-30

Continuous Drain Current

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

IDM

1.4

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t ≤ 10s

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction Temperature

thJA

thJC

℃/W

℃

125

150

Junction and Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

12 3 4 5

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