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AO3402

更新时间: 2024-10-30 12:51:27
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美国万代 - AOS /
页数 文件大小 规格书
5页 454K
描述
30V N-Channel MOSFET

AO3402 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.91
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):4 A最大漏源导通电阻:0.052 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):25 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

AO3402 数据手册

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AO3402  
30V N-Channel MOSFET  
General Description  
Product Summary  
VDS  
30V  
The AO3402 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate  
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as  
a load switch or in PWM applications.  
ID (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS =4.5V)  
RDS(ON) (at VGS =2.5V)  
4A  
< 52m  
< 65mΩ  
< 85mΩ  
SOT23  
D
Top View  
Bottom View  
D
D
G
G
S
S
S
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
±12  
V
V
VGS  
TA=25°C  
TA=70°C  
4
Continuous Drain  
Current  
ID  
A
3.2  
Pulsed Drain Current C  
IDM  
PD  
15  
TA=25°C  
TA=70°C  
1.4  
W
°C  
Power Dissipation B  
0.9  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
70  
Max  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Lead  
t
10s  
90  
125  
80  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
100  
63  
RθJL  
Rev 6: Jan. 2011  
www.aosmd.com  
Page 1 of 5  

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