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AO3402

更新时间： 2024-11-19 18:10:03
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SOT-23

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AO3402 数据手册

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AO3402  
LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL)  
FEATURES  
Ultra low on-resistance:VDS=30V,RDS(ON)≤52mΩ@VGS=10V,ID=3A  
For PWM application  
For Load switch application  
Surface Mount device  
SOT-23  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Value  
30  
±12  
3
2.2  
Unit  
V
Gate-source voltage  
V
A
A
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous drain current  
ID  
Pulsed drain current  
IDM  
10  
A
*
TA=25°C  
PD  
PD  
1.40  
0.9  
125  
W
W
°C/W  
°C  
°C  
Power dissipation  
TA=70°C  
Thermal resistance from Junction to ambient  
Junction temperature  
RθJA  
TJ  
150  
-55 ~+150  
Storage temperature  
TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Min Typ Max Unit  
Conditions  
VGS=0V, ID=250μA  
30  
V
Drain-Source breakdown voltage  
Zero gate voltage drain current  
Gate-body leakage current  
Gate-threshold voltage  
V(BR)DSS*  
IDSS  
IGSS  
*
*
1
uA VDS=30V,  
V =0V  
GS  
±100 nA  
VDS=0V,  
GS  
V =±12V  
VGS(th)  
*
0.6  
0.9  
35  
1.5  
V
V =V , I =250μA  
DS  
GS  
D
47  
VGS=10V, ID=3A  
mΩ  
Drain-source on-resistance)  
RDS(ON)  
*
38  
51  
VGS=4.5V, ID=2A  
mΩ  
ID(ON)  
gFS  
Rg  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Qg  
Qgs  
Qgd  
VSD  
IS  
10  
A
S
On-State Drain Current  
Forward transconductance  
Gate resistance  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Turn-on rise time  
Turn-off delay time  
Turn-off fall time  
Total gate charge  
Gate-source charge  
Gate-drain charge  
Diode forward voltage  
Diode forward current  
Body Diode Reverse Recovery Time  
Body Diode Reverse Recovery Charge  
VDS=5V,  
VGS=10V  
VDS=5V, ID=3.0A  
VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz  
14  
4.3  
2.1  
185 235  
25  
10  
6.5  
285  
45  
Ω
pF  
pF  
pF  
nS  
VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz  
35  
18  
25  
3.5  
1.5  
17.5  
2.5  
10  
0.95  
1.6  
0.75  
nS VDS=15V, VGS=10V,  
RGEN=3Ω, RL=3.75Ω  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
V
12  
VDS=15V,VGS=10V,ID=3A  
1
IS=1A, VGS=0V  
1.5  
11  
3.5  
A
trr  
Qrr  
8.5  
2.6  
nS IF=4A, dI/dt=100A/us  
nC IF=4A, dI/dt=100A/us  
*Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 0.5% .  
1 / 6  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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