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AO3400A

更新时间： 2024-11-06 17:15:27

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	1299K
描述
漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:5.8A;栅极-源极阈值电压:1.4V @ 250uA;漏源导通电阻:28mΩ@10V;最大功耗（Ta = 25°C）:350mW;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:33mΩ@4.5V

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AO3400A 数据手册

UMW

UMW AO3400A

N-Channel Enhancement Mode

Features

SOT–23

VDS (V) = 30V

ID = 5.8 A (VGS = 10V)

RDS(ON)

27m (VGS = 10V)

31m (VGS = 4.5V)

48m (VGS = 2.5V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

VDS

Gate-Source Voltage

5.8

Continuous Drain Current

=25

4.9

TA=70

Pulsed Drain Current *

Power Dissipation

1.4

=25

=70

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

Thermal Resistance.Junction- to-Case

Junction and Storage Temperature Range

thJA

125

thc

, TSTG

-55 to 150

* Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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