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AO3401

更新时间: 2024-11-05 08:30:59
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金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 1436K
描述
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

AO3401 数据手册

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AO3401  
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
VDS= -30V  
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-4.2A < 64m  
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0A < 75m  
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A < 120m  
Features  
Advanced trench process technology  
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  
Package Dimensions  
D
SOT-23-3L  
G
S
Millimete  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
3.10  
2.95  
1.70  
0.50  
0.10  
Min.  
Max.  
A
B
C
D
E
2.70  
2.65  
1.50  
0.35  
0
G
H
K
J
1.90 REF.  
1.00  
0.10  
0.40  
0.85  
1.30  
0.20  
-
L
1.15  
F
0.45  
0.55  
M
0°  
10°  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted)  
Symbol  
VDS  
VGS  
ID  
Limit  
Parameter  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
-30  
±12  
V
A
-4.2  
IDM  
-30  
TA = 25oC  
TA = 75oC  
1.4  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
1
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Junction-to-Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)  
TJ, Tstg  
RqJA  
-55 to 150  
125  
oC  
oC/W  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  

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