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AO3401

更新时间： 2024-02-14 19:48:50

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	1436K
描述
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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数据手册

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AO3401 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

AO3401 数据手册

AO3401

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

(TA = 25oC unless otherwise noted)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Min.

Symbol

Typ.

Miax.

Unit

Parameter

Test Condition

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source On-State Resistance

Gate Threshold Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate Body Leakage

BV_DSS

R_DS(on)

V_GS(th)

I_DSS

V_GS= 0V, I_D= -250uA

V_GS= -10V, I_D= -4.2A

V_GS= -4.5V, I_D= -4A

V_GS= -2.5V, I_D=-1A

V_DS=V_GS, I_D= -250uA

V_DS= -24V, V_GS= 0V

V_GS= ± 12V, V_DS= 0V

V_DS= -5V, I_D= -5A

-30

42.0

64.0

80.0

-1

64.0

75.0

120.0

-1.3

-0.7

-1

I_GSS

± 100

Forward Transconductance

Dynamic

g_fs

Total Gate Charge

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

9.4

V_DS= 20V, I_D= 5.7A

V_GS= 10V

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Turn-On Delay Time

6.3

3.2

38.2

V_DD= 20V, RL=20Ω

I_D= 1A, V_GEN= 10V

R_G= 6W

Turn-On Rise Time

Turn-Off Delay Time

t_d(off)

t_f

Turn-Off Fall Time

Input Capacitance

C_iss

C_oss

C_rss

954

115

V_DS= 8V, V_GS= 0V

f = 1.0 MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Source-Drain Diode

Max. Diode Forward Current

Diode Forward Voltage

I_S

-2.2

-1.0

V_SD

I_S= 1.8A, V_GS= 0V

Note: Pulse test: pulse width <= 300us, duty cycle<= 2%

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

123

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