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AO3401A

更新时间: 2024-11-20 06:37:15
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美国万代 - AOS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AO3401A 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:7.91
Samacsys Confidence:4Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:552132Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:SOT-23-3LSamacsys Released Date:2017-06-05 08:15:57
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:0.05 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:1.4 W
最大功率耗散 (Abs):1.4 W表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

AO3401A 数据手册

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AO3401A  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
The AO3401A uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON) , low gate charge and operation gate  
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a  
load switch or other general applications. Standard product  
AO3401A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259  
specifications).  
VDS (V) = -30V  
ID = -4.3A  
(VGS = -10V)  
R
DS(ON) < 46m(VGS = -10V)  
DS(ON) < 55m(VGS = -4.5V)  
R
RDS(ON) < 80mW (VGS = -2.5V)  
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested  
TO-236  
(SOT-23)  
Top View  
D
S
G
D
S
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
-30  
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current A,F  
±12  
-4.3  
V
A
TA=25°C  
TA=70°C  
ID  
-3.8  
Pulsed Drain Current B  
IDM  
-25  
TA=25°C  
TA=70°C  
1.4  
PD  
W
Power Dissipation A  
0.9  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
65  
Max  
90  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient AF  
Maximum Junction-to-Ambient A  
t 10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
85  
125  
80  
Maximum Junction-to-Lead C  
RθJL  
43  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
www.aosmd.com  

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