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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ167 | TOSHIBA |
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P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS) |
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| 2SJ167_07 | TOSHIBA |
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Silicon P Channel MOS Type |
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| 2SJ168 | TOSHIBA |
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P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS) |
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| 2SJ168(T5L,PP,F) | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ168(T5LMAA,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ168(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,200MA I(D),SC-59 |
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| 2SJ168(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-3F1F, S-MINI, S |
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| 2SJ168_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type |
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| 2SJ168TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose |
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| 2SJ168W | TOSHIBA |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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