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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | GATE PROTECTED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ179 | RENESAS |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents |
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| 2SJ179 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ179 | KEXIN |
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MOS Fied Effect Transistor |
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| 2SJ179-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SJ179-AZ | RENESAS |
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2SJ179-AZ |
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| 2SJ179-T2 | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ180 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ181 | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ181 | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ181(L) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 25ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
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