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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 3 pF | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ181 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ181 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ181(L) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
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| 2SJ181(L)|2SJ181(S) | ETC |
获取价格 |
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| 2SJ181(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
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| 2SJ181(S)-(1) | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,600V V(BR)DSS,500MA I(D),TO-252AA |
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| 2SJ181(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
0.5A, 600V, 25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ181(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ181_11 | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ181L | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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