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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ184 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ184-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ185 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ185 | KEXIN |
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MOS Fied Effect Transistor |
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| 2SJ185-A | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SJ185-L | RENESAS |
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2SJ185-L |
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| 2SJ185-L-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
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| 2SJ185-T2B | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),TO-236VAR |
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| 2SJ185-T2B-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),TO-236VAR |
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| 2SJ186 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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