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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ186CYEL-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ186CYTL | RENESAS |
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0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ186CYTL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ186CYTR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ186CYUL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ186CYUR | RENESAS |
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0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ186CYUR | HITACHI |
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0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ187 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ187(JA)TD | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ188 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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