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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ195 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ195FA | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ195-TL | ONSEMI | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ196 | NEC | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
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| 2SJ196-AZ | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SJ197 | NEC | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
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