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2SJ197-T1

更新时间: 2024-02-15 06:00:57
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日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
6页 299K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN

2SJ197-T1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):1.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YESBase Number Matches:1

2SJ197-T1 数据手册

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