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2SJ197

更新时间： 2024-01-01 19:09:44

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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1页	47K
描述
MOS Fied Effect Transistor

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2SJ197 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ197 数据手册

SMD Type

MOSFET

MOS Fied Effect Transistor

2SJ197

SOT-89

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.1

1.50

-0.1

4.50

1.80

+0.1

-0.1

Features

Directly driven by Ics having a 5V poer supply.

Has low on-state resistance

0.53

RDS(on)=1.5 MAX.@VGS=-4.0V,ID=-0.5A

RDS(on)=1.0 MAX.@VGS=-10V,ID=-0.5A

+0.1

0.48

-0.1

+0.1

-0.1

+0.1

0.44

-0.1

1 Gate

1. Source

1. Base

+0.1

-0.1

3.00

2 Drain

2. Drain

2. Collector

3 Source

3. Emiitter

3. Gate

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage VGS=0

Gate to source voltage VDS=0

Drain current (DC)

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

-60

Unit

1.5

Drain current(pulse) *

3.0

Power dissipation

2.0

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

* PW

10 ms; d

50%.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

Testconditons

VDS=-60V,VGS=0

Min

Typ

Max

-10

Unit

IDSS

IGSS

Gate leakage current

Gate cut-off voltage

VGS= 20V,VDS=0

VGS(off) VDS=-10V,ID=-1mA

-1.0

0.4

-2.1

1.0

0.9

0.5

220

125

-3.0

Forward transfer admittance

VDS=-10V,ID=-0.5A

VGS=-4V,ID=-0.5A

VGS=-10V,ID=-0.5A

Yfs

1.5

1.0

Drain to source on-state resistance

RDS(on)

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

Crss

td(on)

VDS=-10V,VGS=0,f=1MHZ

VGS(on)=-10V,RG=10 ,VDD=-25V,ID=-

0.5A RL=50

Turn-off delay time

Fall time

td(off)

380

170

Marking

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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