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2SJ199

更新时间： 2024-02-03 07:44:49

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
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1页	43K
描述
MOS Fied Effect Transistor

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2SJ199 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	POMM	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	2.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ199 数据手册

SMD Type

MOSFET

MOS Fied Effect Transistor

2SJ199

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Directly driven by Ics having a 5V poer supply.

Has low on-state resistance

RDS(on)=2.5 MAX.@VGS=-4.0V,ID=-0.5A

RDS(on)=2.0 MAX.@VGS=-10V,ID=-0.5A

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

1 GATE

2.Emitter

2 SOURCE

3.collector

3 DRAIN

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage VGS=0

Gate to source voltage VDS=0

Drain current (DC)

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

-100

Unit

1.0

Drain current(pulse) *

2.0

Power dissipation

2.0

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

* PW

10 ms; d

50%.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

IDSS

Testconditons

Min

Typ

Max

-10

Unit

VDS=-100V,VGS=0

VGS= 20V,VDS=0

Gate leakage current

Gate cut-off voltage

IGSS

VGS(off) VDS=-10V,ID=-1mA

-1.0

0.4

-2.1

0.9

1.5

1.1

220

-3.0

Forward transfer admittance

VDS=-10V,ID=-0.5A

VGS=-4V,ID=-0.5A

VGS=-10V,ID=-0.5A

Yfs

2.5

2.0

Drain to source on-state resistance

RDS(on)

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

Crss

td(on)

VDS=-10V,VGS=0,f=1MHZ

VGS(on)=-10V,RG=10 ,VDD=-25V,ID=-

0.5A RL=50

Turn-off delay time

Fall time

td(off)

360

Marking

www.kexin.com.cn

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