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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ193 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ193(JC)TD | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ194 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ194FA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ194TL | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.95ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ195 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ195FA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ195-TL | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ196 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
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| 2SJ196-AZ | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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