5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ191TL | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ191-TL | ONSEMI |
获取价格 |
2000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251 |
|
| 2SJ192 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SJ192FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
|
| 2SJ192TL | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SJ192-TL | ONSEMI |
获取价格 |
4000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251 |
|
| 2SJ193 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SJ193(JC)TD | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ194 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
|
| 2SJ194FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
