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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ189FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ189TL | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ189-TL | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ190 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ191 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ191FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
|
| 2SJ191TL | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ191-TL | ONSEMI |
获取价格 |
2000mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251 |
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| 2SJ192 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ192FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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