5秒后页面跳转
2SJ186CYEL-E PDF预览

2SJ186CYEL-E

更新时间: 2024-11-20 07:31:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
7页 84K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ186CYEL-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-62
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.26Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.5 A
最大漏极电流 (ID):0.5 A最大漏源导通电阻:15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ186CYEL-E 数据手册

 浏览型号2SJ186CYEL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ186CYEL-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ186CYEL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ186CYEL-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ186CYEL-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ186CYEL-E的Datasheet PDF文件第7页 
2SJ186  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0849-0200  
(Previous: ADE-208-1184)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A  
(Package name: UPAK R  
)
D
1
2
3
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
G
4
S
Note: Marking is “CY”.  
*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

与2SJ186CYEL-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SJ186CYTL RENESAS

获取价格

0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ186CYTL HITACHI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ186CYTR HITACHI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ186CYUL HITACHI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
2SJ186CYUR RENESAS

获取价格

0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ186CYUR HITACHI

获取价格

0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ187 SANYO

获取价格

Very High-Speed Switching Applications
2SJ187(JA)TD ONSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2SJ188 SANYO

获取价格

Very High-Speed Switching Applications
2SJ188FA ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR