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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.15 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ186CYTR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ186CYUL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ186CYUR | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ186CYUR | HITACHI |
获取价格 |
0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ187 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ187(JA)TD | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ188 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ188FA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ189 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ189FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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