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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ189 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ189FA | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SJ189TL | ONSEMI | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ189-TL | ONSEMI | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ190 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ191 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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