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2SJ185

更新时间: 2024-11-19 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 404K
描述
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

2SJ185 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:MINIMOLD, SC-59, 3 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.79Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (ID):0.1 A最大漏源导通电阻:40 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ185 数据手册

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