5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | MINIMOLD, SC-59, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.79 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 40 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ185-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SJ185-L | RENESAS |
获取价格 |
2SJ185-L |
|
| 2SJ185-L-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
|
| 2SJ185-T2B | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),TO-236VAR |
|
| 2SJ185-T2B-AT | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),TO-236VAR |
|
| 2SJ186 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 2SJ186 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
|
| 2SJ186CY | HITACHI |
获取价格 |
0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SJ186CYEL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 2SJ186CYTL | RENESAS |
获取价格 |
0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
