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2SJ182(S)

更新时间： 2024-01-27 07:05:28

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	59K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252VAR

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2SJ182(S) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ182(S) 数据手册

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2SJ182(L), 2SJ182(S)

Silicon P-Channel MOS FET

November 1996

Application

High speed power switching

Features

•

•

•

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

4 V gate drive device

Can be driven from 5 V source

•

Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

Outline

DPAK-1

4

4

1

2

3

1

2

3

D

1. Gate

G

2. Drain

3. Source

4. Drain

S

12 3 4 5 6 7 8

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与2SJ182(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ182(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ182L	HITACHI	SILICON SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ182S	HITACHI	SILICON SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ183	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ183TE16R	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ184	NEC	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING	获取价格

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