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2SJ182(S)

更新时间： 2024-02-23 04:19:58

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	59K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252VAR

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2SJ182(S) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ182(S) 数据手册

2SJ182(L), 2SJ182(S)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–5

–4

–3

–2

–1

Pulse Test

–10 V

–5 V

V_GS= 0, 5 V

–0.4

–0.8 –1.2

–1.6

–2.0

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

T_C= 25°C

D = 1

0.5

1.0

0.3

0.1

0.2

0.1

θch–c (t) = γ_S(t) · θch–c

θch–c = 6.25°C/W, T_C= 25°C

P_DM

D =

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (s)

Switching Time Test Circuit

Vin Monitor

Vout Monitor

D.U.T

R_L

V_DD

50 Ω

Vin

–10 V

. 30 V

Waveforms

Vin

10%

90%

Vout

10%

t_f

10%

t_r

t_{d (on)}

t_{d (off)}

1...4 5 678

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与2SJ182(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ182(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ182L	HITACHI	SILICON SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ182S	HITACHI	SILICON SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ183	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ183TE16R	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ184	NEC	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING	获取价格