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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ182S | HITACHI |
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SILICON SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SJ183 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ183TE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ184 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ184-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ185 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ185 | KEXIN |
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MOS Fied Effect Transistor |
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| 2SJ185-A | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SJ185-L | RENESAS |
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2SJ185-L |
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| 2SJ185-L-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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