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2SJ182(S)

更新时间： 2024-01-07 16:21:54

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其他 - ETC		晶体晶体管
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8页	59K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252VAR

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2SJ182(S) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ182(S) 数据手册

2SJ182(L), 2SJ182(S)

Body to Drain Diode Reverse

Recovery Time

500

200

100

di/dt = 50 A/µs, V_GS= 0

Ta = 25°C

Pulse Test

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10

Reverse Drain Current I_DR(A)

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

1,000

100

Ciss

Coss

Crss

V_GS= 0

f = 1 MHz

–10

–20

–30

–40

–50

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Dynamic Input Characteristics

–4

–8

V_DD= –10 V

–25 V

–20

V_GS

–40

–60

–50 V

V_DS

V_DD= –50 V

–12

–16

–20

–25 V

–10 V

–80

I_D= –3 A

–100

Gate Charge Qg (nc)

Switching Characteristics

500

t_{d (off)}

200

100

t_f

V_GS= –10 V

PW = 2 µs, duty < 1%

t_r

t_{d (on)}

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10

Drain Current I_D(A)

1...3 4 567 8

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与2SJ182(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ182(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ182L	HITACHI	SILICON SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ182S	HITACHI	SILICON SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ183	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ183TE16R	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ184	NEC	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING	获取价格