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2SJ182(S)

更新时间： 2024-02-06 10:09:06

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其他 - ETC		晶体晶体管
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8页	59K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252VAR

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2SJ182(S) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ182(S) 数据手册

2SJ182(L), 2SJ182(S)

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test conditions

Drain to source breakdown

voltage

V_(BR)DSS

V_(BR)GSS

I_GSS

–60

—

I_D= –10 mA, V_GS= 0

Gate to source breakdown

voltage

±20

—

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

Gate to source leak current

—

±10

µA

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

V_DS= –50 V, V_GS= 0

I_D= –1 mA, V_DS= –10 V

I_D= –2 A, V_GS= –10 V*¹

Zero gate voltage drain current I_DSS

—

–100

–2.0

0.40

Gate to source cutoff voltage

V_GS(off)

–1.0

—

Static drain to source on state R_DS(on)

resistance

0.28

Ω

—

0.40

2.7

0.55

—

I_D= –2 A, V_GS= –4 V*¹

I_D= –2 A, V_DS= –10 V*¹

Forward transfer admittance

Input capacitance

|y_fs|

1.6

—

Ciss

425

—

V_DS= –10 V, V_GS= 0,

f = 1 MHz

Output capacitance

Coss

—

225

—

Reverse transfer capacitance Crss

Turn-on delay time

t_d(on)

I_D= –2 A, V_GS= –10 V,

R_L= 15 Ω

Rise time

t_r

—

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

160

Body to drain diode forward

voltage

V_DF

–1.05

I_F= –3 A, V_GS= 0

Body to drain diode reverse

recovery time

t_rr

—

140

—

I_F= –3 A, V_GS= 0,

di_F/dt = 50 A/µs

Note 1. Pulse test

1 234 5 6 7 8

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与2SJ182(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ182(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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