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2SJ182(S)

更新时间： 2024-02-22 02:51:54

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	59K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252VAR

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2SJ182(S) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ182(S) 数据手册

2SJ182(L), 2SJ182(S)

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

–2.5

–2

Pulse Test

–5 A

–1.5

–1

–2 A

–0.5

I_D= –1 A

–2

–4

–6

–8

–10

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

Pulse Test

1.0

V_GS= –4 V

0.5

–10 V

0.2

0.1

0.05

–0.2 –0.5 –1

–2

–5 –10 –20

Drain Current I_D(A)

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Temperature

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

Pulse Test

I_D= –1, –2 A

–5 A

V_GS= –4 V

–5 A

–2 A

–1 A

V_GS= –10 V

–40

120

160

Case Temperature T_C(°C)

Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

V_DS= –10 V

Pulse Test

–25°C

T_C= 25°C

75°C

0.5

0.2

0.1

–0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5

Drain Current I_D(A)

1 2 3 456 7 8

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与2SJ182(S)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ182(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ182L	HITACHI	SILICON SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ182S	HITACHI	SILICON SPEED POWER SWITCHING	获取价格
2SJ183	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ183TE16R	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power	获取价格
2SJ184	NEC	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING	获取价格