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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | POMM | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn98Bi2) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ179-T2 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ180 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SJ181 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ181 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ181(L) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
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| 2SJ181(L)|2SJ181(S) | ETC |
获取价格 |
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| 2SJ181(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
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| 2SJ181(S)-(1) | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,600V V(BR)DSS,500MA I(D),TO-252AA |
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| 2SJ181(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
0.5A, 600V, 25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ181(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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